低 Df 材料:提升高速 PCB 訊號完整性
2 分鐘
- 瞭解 PCB 材料的損耗因數
- 如何量測損耗因數
- 損耗因數對 PCB 效能的影響
- 選擇低 Df 材料以獲得理想效能
- JLCPCB 的低 Df PCB 製造能力
- 損耗因數常見問題
- 結論
重點摘要
低 Df 材料是現代高速 PCB 的重要基礎,可在多 Gigabit 頻率下顯著降低介電損耗與訊號衰減。選用 Panasonic Megtron 6、Rogers 或 Isola 等低損耗因數基板,設計人員可獲得更清晰的眼圖、支援最高 112G 的資料傳輸速率,並維持更佳的訊號完整性;同時也可透過混合疊構策略平衡成本。能否選擇正確的低 Df 材料,往往會決定高速設計可順利通過相容性測試,或必須付出昂貴成本重新改板。
所有通過 PCB 的訊號都在悄悄損失能量,而原因就存在於基板本身。電路板材料的損耗因數越高,訊號在介電層中傳播時,就有越多電磁能量轉換為熱。在低頻下,這項影響可能不明顯;但當資料傳輸速率進入多 Gigabit 範圍,材料資料表上看似不起眼的 Df 數值,可能會決定設計得到清晰眼圖,還是無法通過相容性測試。

較高的損耗因數會大量消耗連線損耗預算,可能迫使設計縮短走線、增加等化處理,甚至重新改板。本文將深入說明損耗因數的意義、量測方式,以及低 Df 材料對現代高速與 高頻 PCB設計的重要性。我們也會討論實用材料選項、比較其特性,並介紹 JLCPCB 如何協助使用這些先進基板的工程師。
瞭解 PCB 材料的損耗因數
為高速設計選擇適當基板之前,必須先瞭解損耗因數的定義、它與介電常數的關係,以及為何在高頻下如此重要。
定義及其與介電常數的關係
損耗因數也稱為損耗角正切(tan δ),用來衡量交變電場通過介電材料時,有多少電磁能量被材料吸收並轉換為熱。以數學表示,它是複數介電率虛部與實部之比。
公式為:Df=tan(δ)=ε″/ε′

其中 ε′ 是介電率的實部,可用來得到介電常數 Dk;ε″ 則代表介電損耗。Df 越高,轉換為熱的能量越多,能以訊號形式傳播的能量就越少。介電常數(Dk)與損耗因數(Df)密切相關,但作用不同:Dk 控制訊號傳播速度與傳輸線阻抗,Df 則決定有多少訊號能量能抵達終點。可將 Dk 想像成公路的速限,而 Df 則是行駛過程中的燃料消耗量。
頻率越高,樹脂系統中的分子極化機制就越難跟上交變電場,介電損耗也往往隨之增加。因此,在 1 GHz 下可接受的材料,到了 10 GHz 或更高頻率時可能已不符合需求。
損耗因數如何影響高頻設計的訊號損耗
PCB 走線的訊號損耗主要來自兩項因素:導體損耗,也就是銅導體的電阻性損耗;以及介電損耗,也就是基板吸收的能量。在約 1 GHz 以下,導體損耗通常較為顯著;頻率提升至 1~2 GHz 以上後,介電損耗的重要性會逐漸增加,並可能成為整體插入損耗的主要來源。

介電材料對插入損耗的影響可近似表示為:
αd(dB/inch)=2.3 × f × √Dk × Df/c
其中 f 是工作頻率(Hz),Dk 是介電常數,Df 是損耗因數,c 是光速。此關係顯示介電損耗與頻率及損耗因數成正比。從實際角度來看,若其他條件保持不變,工作頻率加倍時,單位長度的介電損耗也會約略加倍。
如何量測損耗因數
知道資料表上的 Df 數值是一回事,瞭解該數值如何取得,以及它對實際設計頻率代表什麼意義,同樣重要。

常見測試方法與標準
量測損耗因數有多種標準方法,各自適用於不同頻率範圍與精度要求。
平行板電容法:將基板試片置於兩個導電電極之間作為電容器,量測電容量與介電損耗,再計算 Dk 與 Df。此方法常用於相對較低的頻率(1 MHz~1 GHz),也經常出現在 PCB 材料資料表中。
帶狀線共振器法:使用待測基板製作帶狀線共振器,再量測結構的共振頻率與品質因數(Q 值),並據此萃取 Dk 與 Df。由於測試結構非常接近實際 PCB 傳輸線,結果通常能代表真實電路板的效能。
平衡圓盤共振器法:此方法的原理與帶狀線共振器類似,但採用圓盤共振器幾何結構。它在微波頻率下具有高準確度,廣泛用於高階 RF 與高速材料特性量測。
如何解讀不同應用的 Df 數值
閱讀資料表上的 Df 時,務必確認測試頻率。某種材料在 1 MHz 下標示 Df=0.015,在 10 GHz 下可能變成 Df=0.022。Df 的頻率相依性非常重要,卻經常被忽略。以下是 Df 範圍及其典型適用情境的實用分類:
| Df 範圍(10 GHz) | 材料等級 | 典型應用 |
|---|---|---|
| 0.020~0.025 | 標準損耗(FR4) | 2 Gbps 以下數位邏輯、電源供應器、IoT |
| 0.010~0.019 | 中等損耗 | PCIe Gen3、USB 3.0、SATA III、一般網路設備 |
| 0.005~0.009 | 低損耗 | PCIe Gen4/Gen5、10G/25G 乙太網路、DDR5 |
| 0.002~0.004 | 極低損耗 | 56G/112G SerDes、5G 基礎設施、雷達 |
| < 0.002 | 超低損耗(PTFE) | 毫米波(77 GHz 汽車雷達)、衛星通訊、航太 |
損耗因數對 PCB 效能的影響
訊號衰減與資料傳輸速率限制
每條高速串列連線都有損耗預算。發射器送出訊號的振幅,與接收器經過等化後仍能辨識邏輯位準的最低振幅之間存在差距。通道插入損耗在高頻下主要受到介電損耗影響,也會決定在訊號無法可靠辨識之前,走線所能允許的最大長度。

以下是幾項實際影響:
PCIe Gen5(32 GT/s、NRZ):規格在奈奎斯特頻率 16 GHz 下允許約 36 dB 的通道插入損耗。若使用標準 FR4,僅 6 英吋走線就可能消耗相當比例的預算,留給連接器、導通孔及封裝內佈線的餘裕十分有限。
5G 毫米波(28 GHz、39 GHz):標準 FR4 在這些頻率下幾乎無法提供可接受的效能,通常需要 PTFE 基材或特殊陶瓷填充低 Df 基板。
Df 增加時,眼圖品質也會隨之劣化。介電損耗的頻率相依性會形成低通濾波效應,使數位訊號邊緣變得圓鈍,進而增加抖動、降低眼高與眼寬,並限制最終可達成的位元錯誤率(BER)。
熱效應與可靠度考量
介電材料吸收的能量並未消失,而是轉換為熱。對高功率 RF 或具有大量作用中通道的高密度高速數位設計而言,介電發熱可能成為電路板熱負載的重要來源。
過度介電發熱會引發多項可靠度問題:
- Dk 隨溫度改變:基板受熱時,Dk 會產生變化並影響阻抗及傳播延遲,造成緊密差動對與匯流排的時序不確定性。
- 樹脂系統加速老化:溫度升高可能加速環氧樹脂或其他樹脂基體的化學老化,縮短電路板可用壽命。
- 熱循環應力:熱梯度會對鍍通孔及導通孔孔壁產生應力,在厚型多層板中尤其明顯。
一般數位設計的熱負載通常以元件發熱為主,而不是介電發熱;但在高功率 RF 電路板,例如主動式天線陣列或功率放大器中,選擇低 Df 材料不只是訊號完整性決策,也是熱管理決策。
選擇低 Df 材料以獲得理想效能
常見低 Df 基板及其特性
市場提供各種低 Df 材料,從強化型 FR4 到特殊 PTFE 基材系統都有。以下比較常見選項:
| 材料 | Dk(10 GHz) | Df(10 GHz) | Tg(°C) | 相對於 FR4 的成本 | 主要應用 |
|---|---|---|---|---|---|
| 標準 FR4(Tg 170) | 4.2~4.5 | 0.018~0.025 | 170 | 1 倍 | 一般數位電路、IoT |
| 生益 S1000-2M | 4.2 | 0.015 | 175 | 1.3 倍 | 中速數位電路 |
| Panasonic Megtron 4(R-5775K) | 3.8 | 0.008 | 200 | 3~4 倍 | 高速網路、PCIe Gen4 |
| Panasonic Megtron 6(R-5775N) | 3.4 | 0.004 | 200 | 5~6 倍 | 56G 以上 SerDes、5G 回傳網路 |
| Isola Astra MT77 | 3.0 | 0.0017 | 200 | 6~8 倍 | 毫米波、航太 |
| Rogers RO4003C | 3.38 | 0.0027 | >280 | 8~10 倍 | RF 前端、雷達 |
| Rogers RO4350B | 3.48 | 0.0037 | >280 | 8~10 倍 | RF 功率放大器、天線 |
| PTFE(RT/duroid 5880) | 2.2 | 0.0009 | 不適用 | 10~15 倍 | 衛星通訊、毫米波雷達 |
趨勢相當明顯:Df 越低,材料通常越昂貴,製造難度也往往越高。工程上的挑戰在於滿足訊號完整性要求,同時控制預算。
平衡 Df、成本與可製造性
實際上,許多高速設計會採用混合疊構,而不是整片電路板全部使用低 Df 材料。做法如下:
- 找出關鍵訊號層:識別承載最高速訊號的層別,例如 SerDes 通道、RF 走線及時脈分配。
- 只在必要位置使用低 Df 材料:針對關鍵訊號對,在相關核心板及相鄰半固化片層使用 Megtron 6 或同等材料。
- 其他位置使用標準或中等損耗材料:電源平面、低速控制訊號及機械支撐層可使用標準 FR4 或中等損耗材料。
- 確認相容性:並非所有材料都能良好接合。應確認熱膨脹係數(CTE)匹配、迴焊相容性,以及製造商建議的混合疊構組合。
JLCPCB 的低 Df PCB 製造能力
優質低 Df 材料與先進製程
JLCPCB 提供的不只是 FR4,而是完整的材料選擇。高速與高頻專案的工程師可選用多種低 Df 基板,包括常見的生益、Panasonic Megtron 系列、Rogers 及 Isola 材料。
多樣化材料會搭配先進製造技術,包括阻抗控制製程、雷射鑽微孔、複雜 HDI 逐次壓合及嚴格公差蝕刻。對採用 PTFE 基材的 RF 與毫米波設計而言,介電層厚度及銅層對位都會顯著影響成品的 Dk 與 Df 表現;JLCPCB 的製程控制可維持這些參數的一致性。
確保訊號效能一致的可靠生產
對高速通道而言,不同電路板與不同生產批次之間的一致性,和材料特性本身同樣重要。Df 變化 10% 對一般數位電路板可能影響不大,卻可能決定處於規格邊緣的 56G PAM4 通道能否正常運作。
JLCPCB 的品質管理包括進料檢驗、製程中阻抗測試(TDR 與網路分析儀),以及出貨前電性驗證。電路板可依 IPC-6012 Class 2 與 Class 3 標準製造,以確保成品符合設計所需效能。標準規格最快可於 1~2 天內完成,讓原型開發工程師能及時取得實體電路板,並將通道模擬結果與實際量測的 S 參數資料進行比較。
損耗因數常見問題
問:PCB 的損耗因數是什麼?
損耗因數(Df)又稱損耗角正切(tan δ),用來衡量 PCB 介電材料吸收多少電磁能量並將其轉換為熱,也就是介電材料每個週期損失能量與儲存能量之比。Df 越低,訊號損耗越少,對高速與高頻設計尤其重要。
問:高速 PCB 適合的損耗因數是多少?
工作速率超過 10 Gbps 的設計,通常建議使用在 10 GHz 下 Df 低於 0.010 的材料。56G 以上的極高速 SerDes 通道,目標 Df 應低於 0.005。Df 約為 0.020 的標準 FR4,通常只適合低於 5 Gbps 且頻率低於約 2~3 GHz 的應用。
問:損耗因數與介電常數有何不同?
介電常數(Dk)決定訊號傳播速度與傳輸線阻抗,損耗因數(Df)則決定介電層中有多少訊號能量轉換為熱而損失。兩者都是基板材料特性,也都會隨頻率改變。高速設計必須同時控制兩者:穩定的 Dk 可確保阻抗準確,低 Df 則可維持可接受的插入損耗。
問:高頻 RF 應用可以使用標準 FR4 嗎?
標準 FR4 的 Df 相對較高(0.018~0.025),而且 Dk 隨頻率的穩定性較差,因此通常不適合 2~3 GHz 以上的 RF 應用。RF 設計可依工作頻率考慮 Rogers RO4003C(Df=0.0027)、RO4350B(Df=0.0037)或 PTFE 基板(Df<0.002)。
結論
損耗因數是選擇PCB 材料時不可忽視的重要參數。當頻率超過數 GHz,介電損耗可能成為最大的損耗機制,標準 FR4 往往無法達到現代串列通訊協定與 RF 系統所需效能。選用低 Df 材料是一項工程決策,必須瞭解所需頻率、對應疊構,並經常透過混合材料方案平衡效能與成本。解讀任何公開 Df 數值時,除了數值本身,也必須考量其背後的量測方法及測試頻率。
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