什麼是 100 nF 電容？如何選擇合適的型號？

最初發布於 Oct 07, 2026, 更新於 Oct 07, 2026

3 分鐘

重點摘要

電容值：100 nF 電容的標稱電容量為 0.1 µF，也就是 100,000 pF，這三種寫法代表相同的電容值。
標記：許多直插式陶瓷電容與薄膜電容使用三位數代碼 104，而大多數表面黏著型多層陶瓷電容（SMD MLCC）沒有標記。
主要用途：最常用於 IC 電源接腳附近的局部去耦，提供快速瞬態電流，並將高頻雜訊旁路至接地。
常用選擇：一般去耦用途通常可從 X7R 或 X5R 多層陶瓷電容著手選型，0402 與 0603 是廣泛使用的封裝尺寸。
選型原則：應同時考量介電材料、額定電壓與封裝，因為第 2 類陶瓷電容在施加直流電壓後，電容量可能大幅下降。

100 nF 電容就是 0.1 µF 電容，有引腳的型號通常標記為 104。它是最常放置於積體電路電源接腳旁的電容，也用於訊號耦合、雜訊濾波與 RC 定時電路。

即使標稱電容值相同，不同的介電材料、額定電壓與封裝，也會讓元件呈現不同的電氣特性。因此，若只依電容量選型，實際有效電容量可能低於原理圖所標示的數值。

本指南將帶您了解：

什麼是 100 nF 電容，以及如何在 nF、µF 與 pF 之間換算。
如何讀取 100 nF 陶瓷電容與薄膜電容的標記。
100 nF 電容的應用場合，以及這個電容值如此常見的原因。
如何選擇電容類型、介電材料、額定電壓與封裝。

100 nF 電容

圖：採用 0402、0603 與 0805 MLCC 封裝、陶瓷圓片封裝及盒式封裝的 100 nF 電容。

什麼是 100 nF 電容？

100 nF 電容是標稱電容量為 100 奈法拉的電容，相當於 0.1 微法拉（µF）或 100,000 皮法拉（pF）。

100 nF 與 0.1 µF 是相同標稱電容量的不同表示方式，兩者都常見於原理圖、規格書及 BOM（物料清單）中。

表示方式	數值	常見位置
奈法拉	100 nF	原理圖、BOM 與歐洲規格書
微法拉	0.1 µF	美國規格書、參考設計與薄膜電容本體
皮法拉	100,000 pF	三位數代碼所使用的基準單位
三位數代碼	104	有引腳的陶瓷電容與薄膜電容本體
以字母代替小數點	100n 或 u1	原理圖與小型電容本體

僅靠電容量無法完整描述一顆電容。選擇 100 nF 電容時，通常需要考量以下五項關鍵參數：

電容量：100 nF，在料號中常以 104 表示。
容差：通常為 ±5%、±10% 或 ±20%。
額定電壓：可持續承受的最高直流電壓。
介電材料：多層陶瓷電容（MLCC）常見的類型包括 C0G、X7R、X5R 或 Y5V。
封裝：元件本體的尺寸，例如 0402 或 0603。

如何讀取 100 nF 電容標記：104、0.1 µF 與無標記 SMD 元件

100 nF 電容最常見的代碼是 104。前兩位數字代表有效數字，第三位數字代表後方補上的零的個數，計算結果以皮法拉表示：在 10 後面加上四個零，就是 100,000 pF，也就是 100 nF。

100 nF 電容標記

圖：陶瓷圓片電容、薄膜電容與 SMD 料捲上的 100 nF 電容標記。

代碼後方的字母表示容差，而薄膜電容上的前綴則表示額定電壓：

標記	出現位置	含義
104	陶瓷圓片電容與有引腳的 MLCC	100,000 pF = 100 nF
104J、104K、104M	陶瓷電容與薄膜電容本體	100 nF，容差分別為 ±5%、±10% 或 ±20%
104Z	低成本陶瓷圓片電容	100 nF，容差為 −20% 至 +80%
2A104J	薄膜電容	額定電壓為 100 V（2A），電容量為 100 nF，容差為 ±5%
0.1 或 .1	盒式與浸漬封裝薄膜電容	0.1 µF
u1 或 100n	小型薄膜電容本體與原理圖	0.1 µF，以字母代替小數點
無標記	SMD MLCC	透過料捲標籤、料號或 BOM 辨識

晶片型陶瓷電容通常不會印上電容值，因此必須透過料捲標籤、製造商料號或 BOM 辨識 100 nF MLCC。我們的SMD 電容代碼指南對此有進一步說明。

100 nF 電容有哪些用途？

100 nF 電容主要用於局部去耦。它連接在 IC 電源接腳與接地之間，提供邏輯電路切換時所需的快速電流脈衝，並將高頻雜訊從電源軌旁路出去。

100 nF 電容的常見用途包括：

IC 電源接腳去耦：常見的起始配置是每個電源接腳搭配一顆 100 nF 電容，並在實際佈局允許的範圍內，盡可能靠近接腳放置。
濾波：在 RC 與 LC 濾波器中，它與電阻或電感共同決定轉折頻率，例如用於 ADC 輸入端及感測器線路。
交流耦合：串聯在兩級電路之間時，可阻隔直流位準並讓訊號通過。搭配 10 kΩ 負載時，截止頻率約為 159 Hz。
重設與去彈跳電路：搭配上拉電阻，可設定 MCU 重設接腳與開關輸入端的延遲。10 kΩ 電阻與 100 nF 電容可形成 1 ms 的時間常數。
緩衝電路與 EMI 抑制：100 nF 薄膜電容可用於跨接繼電器接點的 RC 緩衝電路；具有安規認證的型號，也可跨接於交流市電輸入端。

為什麼去耦常使用 100 nF 電容？

在 1 MHz 時，理想 100 nF 電容的容抗約為 1.6 Ω；在 10 MHz 時，則約為 0.16 Ω。它在數位切換雜訊的頻率範圍內具有較低阻抗，這是 100 nF 成為標準局部去耦電容值的原因之一。

實際 100 nF 電容的阻抗

圖：實際 100 nF 電容的阻抗。

頻率	理想 100 nF 電容的容抗
100 kHz	15.9 Ω
1 MHz	1.59 Ω
10 MHz	0.16 Ω

實際電容還具有來自封裝、焊墊與導通孔的等效串聯電感（ESL）。在自諧振頻率下，容抗與感抗互相抵消，阻抗降至最低。超過這個頻率後，ESL 便成為主導因素，阻抗會再次上升。

當安裝後的總電感約為 1 nH 時，100 nF 電容的諧振頻率約為 16 MHz。實際頻率取決於封裝、焊墊佈局與導通孔位置，因此請查看製造商針對特定料號提供的阻抗曲線。

100 nF 去耦電容

圖：100 nF 去耦電容放置於 IC 電源接腳旁，並透過短導通孔連接至接地。

由於 100 nF 電容在較低頻率下的阻抗會增加，例如在 100 kHz 時為 15.9 Ω，因此設計中經常在同一條電源軌上，搭配一顆 1 µF 至 10 µF 的儲能電容。

我們的去耦電容指南詳細介紹了佈局位置與電容值的搭配方式。

100 nF 電容的類型：陶瓷、薄膜與電解電容

大多數 100 nF 電容採用多層陶瓷電容（MLCC），因為在這個電容值下，MLCC 能兼具小體積與低 ESL。若更重視穩定性、低損耗或市電安規等級，則通常優先選擇薄膜電容。

類型	極性	100 nF 時的尺寸或封裝	優點	典型用途
SMD 多層陶瓷電容（MLCC）	無極性	0201 至 1206	體積小、ESL 低且成本低	去耦、濾波與一般 SMT 設計
陶瓷圓片電容或有引腳的 MLCC	無極性	直插式封裝	方便手工組裝	麵包板與通孔電路板
聚酯（PET）薄膜電容	無極性	較大的盒式或浸漬封裝本體	沒有直流偏壓造成的電容量損失，失真低於第 2 類陶瓷電容	音訊耦合與一般通孔電路
聚丙烯（PP）薄膜電容	無極性	比 PET 薄膜電容更大	損耗極低，穩定性高	緩衝電路、精密濾波器與定時電路
安規薄膜電容（X2）	無極性	大型盒式封裝	通過市電連接用途的認證	跨接電源線的 EMI 濾波器
鋁電解電容或鉭電容	有極性	比 MLCC 更大	通常不是 100 nF 應用的首選，因為 MLCC 一般體積更小，ESL 也更低	舊有設計

如何選擇 100 nF 電容

選擇 100 nF 電容時，主要取決於四項因素：介電材料、額定電壓、封裝尺寸與容差。

其中，介電材料與額定電壓最為重要，因為兩者共同決定電容在實際工作電壓與溫度下，能保留多少電容量。

MLCC 電容量隨溫度變化的曲線

圖：採用 C0G、X7R、X5R 與 Y5V 介電材料的 100 nF 電容，其電容量隨溫度變化的情況。

介電材料：C0G、X7R、X5R 或 Y5V

陶瓷電容類型包括第 1 類與第 2 類介電材料：

第 1 類（C0G，也稱為 NP0）：在溫度與電壓變化下保持穩定，且介電損耗低。
第 2 類（X7R、X5R 與 Y5V）：單位體積可提供更高的電容量，但電容量會隨溫度、直流電壓與老化而變化。

介電材料	類別	溫度範圍	溫度特性	100 nF 的最佳用途
C0G（NP0）	第 1 類	−55 至 +125 °C	0 ±30 ppm/°C	定時電路、濾波器與振盪器
X7R	第 2 類	−55 至 +125 °C	±15%	去耦與一般用途
X5R	第 2 類	−55 至 +85 °C	±15%	小型封裝的去耦應用
Y5V	第 2 類	−30 至 +85 °C	+22% 至 −82%	僅適用於非關鍵、以成本為主要考量的電路

選擇 X7R：適用於去耦與一般用途，尤其適合運作溫度較高的電路板。
選擇 X5R：適用於採用 0201 或 0402 封裝，且板溫維持在 85 °C 以下的去耦應用。
選擇 C0G：適用於 RC 定時、主動濾波器與振盪器等電路，這些應用的時間或頻率由電容量決定。

注意事項

選型取捨：在相同額定電壓下，100 nF C0G 電容通常比 X7R 元件更大，也更昂貴。Y5V 通常是體積最小、價格最低的選擇，但其電容量變化幅度較大，因此不適合用於電源軌。

額定電壓與直流偏壓

請選擇高於電容可能承受之最高電壓的額定電壓，並將瞬態電壓納入考量。接著，確認第 2 類電容在該電壓下能保留多少電容量。

圖：直流偏壓使 0402 與 0805 封裝的 100 nF X7R 電容有效電容量下降。

隨著兩端直流電壓增加，X7R 與 X5R 電容的電容量會下降。較小封裝與較低額定電壓的元件，通常下降幅度更大，因此一顆用於 5 V 電源軌的 100 nF、0402 電容，實際提供的電容量可能明顯低於 100 nF。

電源軌電壓	100 nF 電容的常用額定電壓
1.8 V 至 3.3 V	10 V 或 16 V
5 V	16 V 或 25 V
12 V	25 V 或 50 V
24 V	50 V
48 V	100 V

選型原則：查看製造商針對特定料號提供的直流偏壓曲線，選擇能在您的電源軌電壓下保留足夠電容量的額定電壓或封裝。大多數主要 MLCC 製造商，都會在線上選型工具中提供這些曲線。

封裝尺寸

封裝決定元件占用的電路板面積、可選擇的額定電壓範圍，以及電容的部分 ESL。0402 與 0603 是 SMT 電路板上 100 nF 去耦電容最常見的選擇。

封裝（英制與公制代碼）	標稱尺寸	100 nF 常見額定電壓範圍	典型用途
0201（公制 0603）	0.6 × 0.3 mm	6.3 V 至 16 V	高密度 BGA 扇出、穿戴式裝置與手機
0402（公制 1005）	1.0 × 0.5 mm	10 V 至 50 V	大多數小型數位電路板
0603（公制 1608）	1.6 × 0.8 mm	16 V 至 100 V	一般 SMT 設計，較容易返工
0805（公制 2012）	2.0 × 1.25 mm	16 V 至 100 V	較高電壓且要求較低直流偏壓損失的應用
1206（公制 3216）	3.2 × 1.6 mm	50 V 至 250 V	較高電壓的電源軌與緩衝電路

實際範圍會因製造商而異，因此請透過元件規格書確認額定值。我們的SMD 電容尺寸指南列出了各種封裝的本體尺寸。

選型取捨：較小封裝可節省面積，也能更靠近電源接腳放置，但通常可選額定電壓較低，且直流偏壓造成的電容量損失較大。

100 nF MLCC 封裝尺寸

圖：以相同比例呈現 0201 至 1206 的 100 nF MLCC 封裝尺寸。

容差

當電容量決定電路的頻率或時間時，容差就特別重要。

選擇 ±10%（K）或 ±20%（M）：適用於去耦，通常採用 X7R 或 X5R。
選擇 ±5%（J）或更嚴格的容差：適用於 RC 定時電路與濾波器，通常採用 C0G 或薄膜電容。

可以用其他電容值取代 100 nF 電容嗎？

能否替換 100 nF 電容，取決於它在電路中的功能。用於去耦時，應優先遵循 IC 規格書建議的電容值。

在定時、濾波與耦合電路中，電容值會決定時間常數或頻率，因此更改電容值後必須重新計算。

使用情況	替換原則
IC 電源接腳去耦	除非 IC 規格書另有規定，否則維持 100 nF；另外並聯 1 µF 至 10 µF 電容作為儲能，也是常見做法。
RC 定時、重設延遲或去彈跳	使用相同電容值；不同電容值會使延遲時間按比例改變。
RC 或 LC 濾波器	使用相同電容值，或重新計算轉折頻率。
交流耦合	較大的電容值會降低截止頻率，較小的電容值則會提高截止頻率。
相同電容值、較高額定電壓	只要符合焊墊配置即可使用，且通常可減少直流偏壓造成的電容量損失。
相同電容值、不同介電材料	只有在電路能接受新的溫度與直流偏壓特性時，才可替換。
市電 EMI 濾波位置	只能使用相同安規類別，且額定電壓相同或更高的元件；X 類用於線對線，Y 類用於線對地。

JLCPCB PCB 組裝中的 100 nF 電容

JLCPCB 的SMT 組裝服務，在標準型 PCBA（Standard PCBA）中支援最小 01005 的被動元件封裝，在經濟型 PCBA（Economic PCBA）中則支援最小 0402，涵蓋常見的 100 nF 去耦電容尺寸。

JLCPCB 元件庫列有常見的 100 nF 陶瓷電容。例如，C14663 是一款 0603 封裝、50 V、X7R 電容，製造商料號為 YAGEO CC0603KRX7R9BB104，並被列為基本元件（Basic Part）。

完成 BOM 之前，請確認每個料號的介電材料、額定電壓與封裝都符合設計需求，而不只是核對 100 nF 這個電容值。

結論

100 nF 電容就是 0.1 µF 電容，有引腳的型號通常標記為 104，主要用於 IC 電源接腳附近的局部去耦。對大多數電路板而言，0402 或 0603 封裝的 X7R 或 X5R MLCC 是合適的起始選擇；若電容值會決定電路的時間或頻率，則適合使用 C0G 或薄膜電容。

同時考量介電材料、額定電壓與封裝，有助於讓實際工作電壓下的有效電容量接近原理圖上的標示值。設計完成後，請將檔案上傳至 JLCPCB，查看組裝選項並取得即時報價。

100 nF 電容常見問題

100 nF 與 0.1 µF 相同嗎？

相同。100 nF、0.1 µF 與 100,000 pF，是以不同單位表示的相同電容量，其三位數代碼為 104。

電容上的 104 代表什麼？

代表 100,000 pF，也就是 100 nF。前兩位數字代表 10，第三位數字表示在後方加上四個零，結果以皮法拉為單位。

100 nF 電容有極性嗎？

通常沒有。100 nF 陶瓷電容與薄膜電容沒有極性，可以任意方向安裝；較少見的電解電容與鉭電容型號則具有極性。

可以用 1 µF 電容取代 100 nF 嗎？

只有部分電路可以。用於去耦時，只要 IC 規格書允許，1 µF MLCC 通常可以使用；但在定時、濾波與耦合電路中，它會改變時間常數或截止頻率。

為什麼電路會將 100 nF 與 10 µF 電容搭配使用？

100 nF 電容處理 IC 附近較高頻率的雜訊，10 µF 電容則在較低頻率下提供電荷。兩者搭配，可在更寬的頻率範圍內維持較低的電源阻抗。