陶瓷電容類型解析:C0G、X7R、X5R、Y5V 與選型方法
3 分鐘
- 什麼是陶瓷電容?
- SMD MLCC 與通孔陶瓷電容比較
- 陶瓷電容類別說明
- 常見陶瓷電容類型
- 如何選擇正確的陶瓷電容類型
- X7R、X5R 與 C0G:該選哪種介電質?
- 陶瓷電容中的直流偏壓效應
- 陶瓷電容老化與壓電效應
- 理解陶瓷電容介電質代碼
- 陶瓷電容常見問題
- 結論
兩顆陶瓷電容可以具有相同的電容量、相同的額定電壓與相同的封裝尺寸,但在通電的電路板上表現卻可能完全不同。原因不在標籤上的數字,而在於介電質。陶瓷電容類型是由介電質定義,並以 C0G、X7R、X5R、Y5V 等代碼表示。
本指南將解讀這些代碼、比較不同介電質類別、說明常讓設計者措手不及的直流偏壓與老化效應,並提供一套實用方法,幫助你為每項用途選擇正確元件。
什麼是陶瓷電容?
陶瓷電容使用陶瓷材料作為介電質,並夾在金屬電極之間。它們沒有極性,因此在電路板上不需要擔心電容極性問題,同時具備非常低的等效串聯電阻(ESR)與等效串聯電感(ESL),這正是它們主導高頻去耦應用的原因。
多層陶瓷電容,也就是 MLCC,是現代電子產品中產量最高、使用最廣泛的電容,年產量以兆顆計算。它們在單一晶片內並聯堆疊數十層到數百層薄介電質,因此即使尺寸只有米粒般大小,也能達到微法等級的電容量。
「陶瓷電容類型」可能代表兩件事:結構形式,例如 SMD MLCC 與通孔引腳式元件;或介電質類別與代碼,例如 C0G 與 X7R。兩者都很重要,本指南將從結構開始逐一說明。

圖:多層陶瓷電容,顯示堆疊的陶瓷介電質層,以及交錯排列並連接到相對端子的金屬電極。
SMD MLCC 與通孔陶瓷電容比較
陶瓷電容有幾種實體形式,但大多數設計主要使用其中兩種。選擇哪一種,通常取決於電路板佈局中表面黏著與通孔限制的評估。
SMD MLCC
表面黏著 MLCC 是現代電子產品的主力元件。它能在緊湊的晶片封裝中提供高電容量密度,例如 0402、0603、0805 或更大尺寸,並且能非常出色地處理高頻。如果電路板上有旁路與去耦電容,它們幾乎一定是 SMT MLCC。
通孔(THT)與特殊陶瓷電容
通孔陶瓷電容以較大的實體尺寸,換取機械耐用性與高電壓承受能力:
- 陶瓷圓片電容:經典的橘褐色引腳式圓片元件,是單層通孔元件。它在高壓條件下非常耐用,至今仍是 AC 電源供應器、EMI 抑制,以及具安全認證(Class X/Y)電源線濾波中的常見選擇。
- 徑向引腳式 MLCC:在標準 MLCC 方塊上加上導線引腳與保護性環氧樹脂,將高電容量密度帶入通孔封裝。
- 特殊類型:包含用於面板安裝訊號濾波的穿心電容,以及用於高功率 RF 系統的高壓「門把式」陶瓷電容。

圖:SMD 多層陶瓷電容、通孔陶瓷圓片電容與高壓陶瓷門把式電容比較。
陶瓷電容類別說明
當工程師提到「陶瓷電容類型」時,通常指的是由穩定性定義的介電質類別。這些類別會在穩定性與密度之間取捨:介電質越穩定,在相同尺寸下可取得的電容量通常越低。
- Class 1 介電質屬於順電性材料。它們具備出色穩定性、極低損耗,且基本上沒有老化現象,但電容量密度較低,因此數值通常較小,從皮法到低奈法範圍。C0G(NP0)是最主要的 Class 1 介電質。
- Class 2 介電質屬於鐵電性材料,以鈦酸鋇為基礎。它們能在相同體積中提供高得多的電容量,讓小型晶片也能達到微法等級;但會隨溫度與電壓漂移,並隨時間老化,也可能產生麥克風效應。X7R 與 X5R 是最常用的主力類型。
- Class 3 介電質屬於高 K 阻擋層類型,具備最高密度,但穩定性最差。它們在現代 SMD 設計中大多已過時。Y5V 與 Z5U 是常見範例。
標準說明
不同標準機構的分類方式有所差異。在 EIA RS-198 中,Y5V 與 Z5U 被歸為 Class 2 高 K 介電質;而在 IEC 60384 以及許多公開文章中,這些相同材料則被稱為 Class 3。材料與行為完全相同,差別只在名稱標籤。
| 類別 | 介電質類型 | 穩定性 | 電容量密度 | 常見代碼 | 典型應用 |
|---|---|---|---|---|---|
| Class 1 | 順電性 | 極佳 | 低 | C0G, NP0 | RF、時序、精密類比 |
| Class 2 | 鐵電性 | 良好 | 高 | X7R, X5R, X8R | 去耦、旁路、大容量儲能 |
| Class 3 | 高 K 鐵電性 | 差 | 非常高 | Y5V, Z5U | 非關鍵大容量儲能、舊式設計 |
常見陶瓷電容類型
了解代碼後,以下說明你實際指定元件時最常遇到的介電質在實務中的表現。
C0G(NP0)電容
這是一種 Class 1 介電質,溫度漂移接近零,沒有可量測的老化現象,且直流偏壓效應可忽略不計。它也不會產生麥克風效應。取捨在於電容量密度較低,因此數值範圍通常從皮法到低奈法。
- 適用於:RF 電路、振盪器、諧振器、濾波器、精密類比與時序。
- 避免用於:高電容量大容量儲能與去耦,因為在實體尺寸上通常無法取得所需容量。
X7R 電容
這是通用預設選擇。X7R 可在 -55°C 至 +125°C 範圍內維持 ±15% 變化,在穩定性與密度之間取得良好平衡,並能達到微法等級。在所有 MLCC 介電質類型中,X7R 仍是通用去耦最廣泛使用的選擇。當在 PCB 佈局中實作旁路電容,用於去耦與電源軌旁路應用時,它是標準選項。不過需要注意,它仍會受到直流偏壓損失與老化影響。
- 適用於:大多數 PCB 上的通用去耦、旁路與電源軌濾波。
X5R 電容
X5R 與 X7R 密切相關,同樣具有 ±15% 容差,但上限工作溫度降低至 +85°C。較寬鬆的溫度規格讓製造商能在更小封裝中放入更高電容量,因此 X5R 適合空間受限、且電路板不會過熱的消費性與行動裝置設計。
- 適用於:工作溫度適中的緊湊型消費性電子產品與行動裝置。
X6S、X7S 與 X8R 電容
這些是較新的 Class 2 配方,主要面向車用與工業應用。它們可提供更寬的溫度範圍,或在溫度條件下具備更嚴格的行為控制。X7S 在 -55°C 至 +125°C 範圍內維持 ±22%,而 X8R 將上限延伸到 +150°C。若用於車用設計,應尋找這些系列中通過 AEC-Q200 認證的元件。
- 適用於:車用、工業與高溫環境。
Y5V 電容
這是高 K 極端類型:在極小封裝中提供巨大電容量密度,但穩定性代價非常高。Y5V 元件在 -30°C 至 +85°C 範圍內,電容量可能從 +22% 到 -82% 大幅變動,且對直流偏壓高度敏感。應將標示值視為寬鬆上限,而不是保證值。
- 適用於:成本敏感、且精確容量不重要的非關鍵大容量儲能。
Z5U 電容
Z5U 是舊式高 K 介電質,工作範圍較窄,僅 +10°C 至 +85°C,且穩定性不佳。它仍可能出現在較舊設計中,但正逐漸被更好的 Class 2 元件取代。
常見陶瓷介電質一覽
| 介電質 | 最佳用途 | 穩定性 | 直流偏壓敏感度 | 溫度範圍 |
|---|---|---|---|---|
| C0G / NP0 | RF、時序、精密應用 | 極佳 | 非常低 | -55°C 至 +125°C |
| X7R | 通用去耦 | 良好 | 中等 | -55°C 至 +125°C |
| X5R | 緊湊型電子產品 | 良好 | 中等 | -55°C 至 +85°C |
| X7S | 車用、工業 | 中等 | 中等 | -55°C 至 +125°C |
| Y5V | 非關鍵大容量儲能 | 差 | 高 | -30°C 至 +85°C |
| Z5U | 舊式電路 | 差 | 高 | +10°C 至 +85°C |
如何選擇正確的陶瓷電容類型
經歷足夠多次電路板 bring-up 後,介電質選擇通常會變成快速的心智檢查清單,而不是每次都重新翻資料表。
在我們自己的設計中,幾乎所有 MCU 與數位去耦都預設使用 X7R;只有當電容量會直接決定頻率、時序常數或類比精度規格時,才會切換到 C0G。當空間是主要限制,且電路板工作溫度較低時,則會改用 X5R 以取得更高密度。以下是完整流程:
- RF 與振盪器電路:選擇 C0G(NP0)。當電容量會決定頻率或濾波器截止點時,你需要零漂移且不受偏壓影響,沒有其他選項能真正勝任。
- 去耦與電源軌:預設使用 X7R。它可在完整工業溫度範圍內提供微法級穩定旁路能力,並且在電壓降額後,偏壓下表現也相當可靠。這涵蓋了絕大多數數位去耦應用。
- 緊湊型消費性裝置:當電路板溫度維持在 +85°C 以下,且你需要在最小封裝中取得最大電容量時,使用 X5R。它是行動與消費性產品中的常見選擇。
- 高溫與車用應用:指定 X7R、X7S 或 X8R;若用於引擎蓋下或引擎室環境,務必要求通過 AEC-Q200 認證的元件。
- 非關鍵大容量儲能:只有在容量值真的不重要且成本優先時,Y5V 才可以接受。請留出充足餘量,因為標示值不等於實際可用值。
貫穿所有選型的單一規則是:在鎖定 BOM 之前,務必查看實際料號的直流偏壓與溫度曲線。標示值只是起點,不是承諾。
依應用建議的陶瓷電容類型
| 應用 | 建議介電質 |
|---|---|
| RF 電路 | C0G(NP0) |
| 振盪器與時序 | C0G(NP0) |
| 精密類比 | C0G(NP0) |
| MCU 與數位去耦 | X7R |
| 電源供應旁路 | X7R |
| 智慧型手機與穿戴裝置 | X5R |
| 車用與高溫 | X7R / X8R |
| 非關鍵大容量儲能 | Y5V |
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X7R、X5R 與 C0G:該選哪種介電質?
快速答案:對大多數 PCB 設計來說,X7R 是最佳預設選擇。當電容量穩定性至關重要時,使用 C0G;當最大電容量密度比溫度範圍更重要時,使用 X5R。
這三種介電質涵蓋了絕大多數實際設計,而大多數「陶瓷電容類型」相關搜尋,實際上都是在詢問它們之間的差異。以下進行並列比較。
X7R、X5R 與 C0G 比較
| 特性 | C0G(NP0) | X7R | X5R |
|---|---|---|---|
| 類別 | 1 | 2 | 2 |
| 穩定性 | 極佳 | 良好 | 良好 |
| 溫度範圍 | -55°C 至 +125°C | -55°C 至 +125°C | -55°C 至 +85°C |
| 直流偏壓 | 極低 | 中等 | 中等,小封裝中更高 |
| 老化 | 無 | 對數型 | 對數型 |
| 最大電容量 | 低 | 高 | 非常高 |
| 最佳用途 | RF、時序 | 通用去耦 | 緊湊型去耦 |
重點提醒
當容量值不能漂移時選 C0G;當你需要在完整工業溫度範圍內取得穩定的大容量去耦時選 X7R;當你需要在最小封裝中取得最大電容量,且電路板維持在 +85°C 以下時選 X5R。
如果不確定該選哪種介電質,先從 X7R 開始。當穩定性重要時改用 C0G;當板上空間非常關鍵時,則改用 X5R。

圖:比較 C0G、X7R、X5R 與 Y5V 陶瓷介電質的電容量偏差與溫度關係,顯示 C0G 幾乎保持平坦,而 Y5V 變動劇烈。
陶瓷電容中的直流偏壓效應
為什麼 10 uF 電容可能不是 10 uF?
這是許多只依標示值計算電容量的工程師容易踩到的陷阱。Class 2 與 Class 3 陶瓷屬於鐵電性材料,施加直流電壓會使介電質極化並使其域結構飽和。隨著偏壓上升,有效電容量會下降,而且常常非常明顯。標示值是在接近零伏的條件下量測的,而不是在你的實際工作電壓下量測。
這種效應在高 K 介電質中更嚴重。Y5V 電容即使只在額定電壓一半的條件下運作,也可能僅因直流偏壓就損失約 30% 到 50% 的標稱電容量。再加上溫度漂移與老化,一顆標示 10 uF 的元件,在電路中可能提供不到一半的容量,最差情況甚至低於幾微法。X7R 與 X5R 的表現遠優於 Y5V,但它們並非完全不受影響;而且當更小封裝把更多電容量塞進更小體積時,損失會急遽增加。
標示為 10 uF 的電容,應視為起始值,而不是工作條件下的保證值。

圖:顯示隨著直流偏壓電壓接近額定電壓,C0G 的有效電容量保持平坦,而 X7R、X5R,尤其是 Y5V,會明顯下降。
設計師提示
- 積極進行電壓降額:選擇額定電壓約為工作電壓兩倍的元件,可讓你工作在偏壓曲線中更平坦、更可預測的區域。
- 透過製造商工具驗證參數:務必檢查製造商提供的直流偏壓曲線,而不只是看標稱值。Murata SimSurfing、KEMET K-SIM 等工具,可依實際料號繪製有效電容量與偏壓的關係。
- 必要時調整佈局尺寸:當電容量必須在偏壓下維持時,可改用更大封裝尺寸,或並聯多顆元件。
陶瓷電容老化與壓電效應
陶瓷電容老化特性
Class 2 與 Class 3 介電質會隨著鈦酸鋇晶體結構鬆弛而逐漸失去電容量。這種損失是對數型,通常以每 decade-hour,也就是時間每增加 10 倍時的百分比表示。常見公開數據約為 X7R 與 X5R 每 decade-hour 損失 2% 到 2.5%,Y5V 則約為每 decade-hour 7%,因此 Y5V 元件在多年後可能失去約三分之一電容量。C0G 屬於順電性材料,不會以這種方式老化。當元件被加熱到居里點以上時,老化會重置,例如在 SMT 回流焊階段,因此老化時間實際上會從組裝後重新開始計算。
陶瓷電容壓電效應與麥克風效應
Class 2 與 Class 3 陶瓷具有輕微壓電性。機械振動會產生小電壓;反過來說,AC 電壓也會使元件產生物理彎曲。在承載音頻訊號的電路板上,這會表現為可聽噪音,也就是所謂的「會唱歌的電容」。在音訊路徑與敏感類比前端等重要場合,應選擇不受影響的 C0G,或採用佈局與安裝上的緩解措施。

圖:顯示 PCB 上的 Class 2 陶瓷電容因壓電效應彎曲並輻射聲音,也就是會唱歌的電容效應。
理解陶瓷電容介電質代碼
這些看似神祕的三字元代碼並不是隨機的。它們編碼了工作溫度範圍與電容量穩定性。Class 1 與 Class 2/3 使用兩套不同的編碼系統,這也讓許多參考資料容易混淆。
Class 2 與 Class 3 的 EIA 代碼
對 Class 2 與 Class 3 元件來說,格式是字母、數字、字母:
- 第一個字母 = 最低工作溫度
- 第二個數字 = 最高工作溫度
- 第三個字母 = 該範圍內的最大電容量變化
Class 2 與 Class 3 電容的 EIA 代碼解碼表
| 低溫字母 | 高溫數字 | 電容量變化字母 |
|---|---|---|
| Z = +10°C | 2 = +45°C | A = ±1.0% |
| Y = -30°C | 4 = +65°C | B = ±1.5% |
| X = -55°C | 5 = +85°C | C = ±2.2% |
| 6 = +105°C | D = ±3.3% | |
| 7 = +125°C | E = ±4.7% | |
| 8 = +150°C | F = ±7.5% | |
| 9 = +200°C | P = ±10% | |
| R = ±15% | ||
| S = ±22% | ||
| T = +22 / -33% | ||
| U = +22 / -56% | ||
| V = +22 / -82% |
範例:解讀 X7R 與 X5R
X7R 可解讀為 X(-55°C)低溫、7(+125°C)高溫、R(±15%)。因此,X7R 電容的工作範圍為 -55°C 至 +125°C,且電容量變化不超過 ±15%。
以相同方式解讀 X5R,會得到 -55°C 至 +85°C、±15%。兩者唯一差異在於最高溫度上限。另一種數字標記,例如 104,則表示以皮法為單位的容量值。
如需完整了解標記系統,請查看我們關於如何讀取 SMD 電容代碼的詳細教學。
Class 1 陶瓷電容代碼(C0G 與 NP0)
Class 1 使用另一套系統,依據每攝氏度百萬分之一(ppm/°C)的溫度係數進行表示。
實務上,你只需要記住結果:C0G 是 0 ±30 ppm/°C,代表從 -55°C 到 +125°C 的變化小於 ±0.3%,且遲滯可忽略不計。若想深入了解:第一個字元是係數的有效數字,中間數字是倍率,最後一個字元是 ppm/°C 容差。
準確性說明:
C0G 是現代 EIA 名稱,而 NP0(negative-positive-zero)是同一介電質的舊名稱。兩者完全相同。有些指南會把這一點說反,那是錯誤的。其 IEC 60384 對應名稱為 CG。

圖:將 Class 1 陶瓷電容代碼 C0G 解讀為其溫度係數有效數字、倍率與容差,結果為每攝氏度 0 ±30 ppm。
陶瓷電容常見問題
Q:陶瓷電容有極性嗎?
沒有。陶瓷電容完全沒有極性。與鉭質電容或鋁電解電容不同,後兩者若反向安裝可能造成災難性失效;陶瓷電容具有對稱金屬電極,因此可在 PCB 上以任一實體方向放置,不會有問題。
Q:最常見的陶瓷電容類型是什麼?
Class 2 X7R MLCC 是現代電子產品中使用最廣泛的陶瓷電容。對通用去耦而言,它在電容量密度、溫度穩定性、成本與整體效能之間提供最佳實用平衡。
Q:X7R 與 X5R 有什麼差異?
主要差異是最高工作溫度額定值。X7R 額定最高可達 +125°C,而 X5R 則限制在 +85°C。由於這個較寬鬆的限制,X5R 可在更小封裝,例如 0201 或 0402,中達到更高電容量密度。
Q:為什麼我的 10 uF 陶瓷電容在電路中量到的容量低很多?
這是直流偏壓效應造成的。Class 2 與 Class 3 陶瓷屬於鐵電性材料;施加直流電壓會使材料極化,並降低其對 AC 訊號的響應能力,因此在工作電壓下有效電容量會大幅下降。
結論
陶瓷電容的介電質比標稱值更能決定其真實世界效能。精密應用使用 Class 1 C0G,標準去耦使用 Class 2 X7R/X5R,並務必考慮直流偏壓與老化。
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