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PoP 封裝(封裝疊封裝)詳解:架構、組裝與 SMT 挑戰

最初發布於 Feb 20, 2026, 更新於 Feb 20, 2026

1 分鐘

在微型化的競賽中,將更強大的處理能力塞進更小的空間,是 PCB 設計者終極的挑戰。


層疊封裝(PoP)技術透過垂直整合邏輯與記憶體來回應這項需求,已成為現代行動處理器的標準。然而,這種 3D 架構需要超越標準製程的先進 SMT 組裝能力。JLCPCB 專精於高精度製造,能駕馭這些複雜的堆疊結構。


本指南涵蓋 PoP 封裝的運作原理、關鍵優勢、常見組裝挑戰與重要設計考量——協助您快速判斷何時該為應用選擇 PoP 封裝。



什麼是 PoP 封裝(Package on Package)?


層疊封裝(PoP)是一種垂直電路整合方法,將兩個或多個已分別測試的封裝上下堆疊。不同於系統級封裝(SiP)常將多顆晶片置於單一外殼內,PoP 通常是將記憶體封裝直接疊在邏輯封裝(CPU 或應用處理器)上方。



為何使用層疊封裝(PoP)?高密度電子的關鍵優勢


為何要費心堆疊 BGA?高速數位設計的優勢不言而喻。


1. PoP 封裝的訊號完整性優勢


在高速 DDR 記憶體介面中,走線長度就是敵人。長走線會引入電感、電容與訊號反射。將記憶體直接疊在 CPU 上方,可把訊號路徑從公分縮短到毫米,創造更乾淨的電氣環境,實現 LPDDR4 與 LPDDR5 所需的更高時脈速度。


2. PoP 組裝中的 Known Good Die(KGD)優勢


這是關鍵的商業優勢。在 SiP 方案中,多顆晶片一起封裝,若其中一顆失效,整個昂貴模組就報廢。PoP 技術中,邏輯與記憶體封裝分別測試、封裝與燒機,只將「已知良好」的記憶體疊到「已知良好」的邏輯上,最終良率顯著提升。


3. PoP 封裝的供應鏈與記憶體採購彈性


因記憶體與邏輯分離,OEM 可在不需重新設計邏輯晶片或主機板的前提下,從不同供應商(Samsung、Micron、Hynix)採購記憶體,只要頂部介面標準相容即可。



PoP 封裝結構:邏輯與記憶體堆疊說明


要了解 SMT 挑戰,必先理解其物理結構:


1. 底部封裝(邏輯):內含應用處理器,底部有高密度 BGA 與主機板連接,頂面則有焊墊供記憶體封裝堆疊。


2. 頂部封裝(記憶體):通常為 DRAM 或快閃記憶體,透過第二組焊球與邏輯封裝頂部焊墊相連。


3. 介面:訊號垂直穿越堆疊,大幅縮短處理器與記憶體間的距離。


PoP package structure

PoP 封裝結構顯示邏輯與記憶體堆疊整合。




PoP 封裝架構類型:標準 PoP vs TMV PoP


隨著接腳數增加、裝置變薄,「標準」PoP 架構遭遇限制,因而催生 Through Mold Via (TMV) 技術。


1. 標準 PoP 封裝(周邊焊球堆疊)


傳統做法中,頂部記憶體封裝直接置於底部邏輯封裝的塑封蓋上,電氣連接透過底部封裝周邊的焊球完成。


限制:底部封裝必須明顯大於頂部封裝,以容納周邊焊球,這限制了底部封裝內可放的晶片尺寸。當間距縮至 0.5 mm 以下時,此方法易短路。


2. Through Mold Via (TMV) PoP 封裝


為解決間距與翹曲問題,業界轉向 TMV。


機制:不在邊緣放焊球,而是在底部封裝的塑封體中(雷射或模塑)鑽出導通孔。


技術優勢:允許頂部封裝的焊球部分沉入底部封裝的塑封體內,提供更穩固的機械結構,並在相同封裝面積內容納更大的邏輯晶片。TMV 對現代高密度 PoP 封裝至關重要。


Standard PoP vs Through Mold Via TMV architecture

標準 PoP 與 Through Mold Via TMV 架構於高密度 SMT 組裝之比較。



PoP 封裝的關鍵 SMT 組裝挑戰


PoP 解決了設計問題,卻為 SMT 組裝帶來重大挑戰。此處正是標準組裝廠與 JLCPCB 等先進業者的差距所在。


PoP 封裝翹曲(「香蕉效應」)與共面度問題


PoP 組裝的大敵是翹曲。我們面對的是矽晶片、有機基板與塑封材料,彼此的熱膨脹係數(CTE)各異。


失效模式:回流焊升溫時,封裝膨脹,底部封裝可能凹翹(「微笑」)或凸翹(「皺眉」)。若翹曲超過焊球共面度容限(通常 <80 µm),連接將失效。


枕頭效應(HiP):焊球已熔化,但封裝翹起遠離焊墊,形成枕頭狀接觸,僅機械接觸而無冶金鍵合,造成難以偵錯的間歇性失效。



Head-in-Pillow (HiP) BGA defect

PoP 組裝中因翹曲導致的枕頭效應 BGA 缺陷。


PoP 封裝組裝的回流曲線挑戰


焊接 PoP 堆疊需要精準的熱曲線。


挑戰:必須提供足夠熱量熔化頂部封裝的焊點(其位置較高且受隔熱),同時不能過熱底部封裝或下方 PCB 元件。


解方:需具備多段加熱區與嚴格氮氣控制的回流爐,以避免在這些較長的熱循環中氧化。


PoP 封裝的底部填充需求與機械可靠度


手機經常掉落,PoP 堆疊的焊點硬且脆。為通過跌落測試,通常需在元件與 PCB 間(有時也在兩封裝間)注入毛細底部填充。此環氧樹脂可分散機械應力,防止焊點龜裂。



先進 SMT 製程如何降低 PoP 組裝風險


設計複雜的 PoP 板?別讓組裝缺陷毀了原型。JLCPCB SMT 採用先進氮氣回流曲線與 3D 自動光學檢測(AOI) ,降低枕頭效應等缺陷。


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注意:以下 DFA 準則對 PCB 設計者與硬體工程師至關重要,可確保 PoP 組裝良率與可靠度。



PoP 封裝的組裝設計(DFA)準則


為確保您的PoP 封裝JLCPCB PCBA產線順利生產,請遵循以下設計規範:


1. PoP 封裝焊墊設計:建議使用 NSMD


BGA 焊墊建議採用非防焊層限定(NSMD),而非防焊層限定(SMD)。NSMD 焊墊提供更大表面積供焊球抓附(抓住銅墊側壁),可提升疲勞壽命並降低應力集中。



Non-Solder Mask Defined (NSMD) vs Solder Mask Defined (SMD) pad

NSMD 與 SMD 焊墊幾何形狀對 BGA 可靠度之比較。


2. PoP SMT 組裝的鋼板開口設計


錫膏量至關重要。


錫膏過多:造成細間距焊球橋接。


錫膏過少:造成開路或「飢餓」焊點。PoP 組裝必須使用高品質雷射切割電拋光鋼板,確保錫膏一致脫模。



3. PoP 組裝的貼裝精度與壓力控制


PoP 需高階貼片機,貼裝壓力須精準控制。壓力過大可能壓裂底部封裝內的薄矽晶片;壓力過小則可能在回流前移位。


特徵PoP(層疊封裝)SiP(系統級封裝)SoC(單晶片系統)
整合方式垂直(封裝層級)水平/垂直(模組)矽晶片(晶片層級)
彈性高(記憶體可混搭)中等低(固定)
主要挑戰翹曲與回流高度RF 干擾與屏蔽設計成本與良率
可維修性中等(可重工頂部封裝)低(更換整模組)無(更換晶片)



結論


層疊封裝(PoP)技術是現代高密度電子的關鍵之一,在效能、尺寸與供應鏈彈性間提供絕佳平衡。然而,它並非易於掌控的技術,從設計到製造都需嚴格遵守熱管理、翹曲控制與 DFA 規範。


對工程師而言,PoP 設計的成敗繫於製造商的能力;品質上,從裸板的精準阻抗控制到組裝時的細膩回流曲線管理,皆不容妥協。


對複雜 PoP 設計來說,組裝能力往往是成功與否的決定因素。準備好實現您的高密度設計了嗎?無論使用標準 BGA 或探索先進堆疊,JLCPCB 都能提供工業級製造,讓您的專案獲得應有的嚴謹品質。


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常見問題


Q1:PoP 若不填底部填充膠會如何?


就電氣觀點底部填充並非必需,但對行動裝置通過跌落測試幾乎不可或缺,可為脆性焊點提供機械保護。固定式工業應用或許可用角部或邊緣加固,但完整底部填充對脆弱焊點的機械保護最佳。


Q2:PoP 堆疊中底部封裝失效怎麼辦?


PoP 堆疊重工極為困難。若頂部記憶體封裝失效,可用專業 BGA 重工站移除並更換;若底部邏輯封裝失效,通常需將整個堆疊拆下並重新植球或更換,因熱循環可能已損傷 PCB 焊墊。


Q3:PoP 與 2.5D 封裝有何不同?


PoP 使用標準有機基板與焊球垂直堆疊封裝(3D)。2.5D 技術則利用矽中介層將晶片並排,並以極細 TSV(矽穿孔)連接。PoP 對行動消費性電子更具成本效益,2.5D 則因製造成本高,多用於超高性能運算(HPC)。


Q4:PoP 封裝是否會帶來散熱問題?


是的,熱耦合確實是問題。上層記憶體晶片可能成為熱絕緣體,使下方邏輯處理器的熱難以散出。工程師須設計最有效率的散熱路徑,例如在底部基板內設置散熱孔,或在記憶體封裝頂部加散熱片,將熱量從堆疊中導出。


Q5:為何 PoP 組裝對濕氣敏感?


PoP 封裝極薄,易吸濕。若濕氣在回流快速加熱時被困於塑封體內,會膨脹成水蒸氣,導致「爆米花」效應(分層)或內部龜裂。與標準元件不同,PoP 需嚴格的烘烤與乾燥包裝處理(通常為 MSL 3 或更高等級),以避免災難性失效。





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