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  • GaN Transistors(GaN HEMT)

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    • BGA-9(1.35x1.35)
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    • DFN-3L(8x8)
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    • DFN-8(8x8)
    • DFN-8-EP(8x8)
    • DFN-8L(5x6)
    • DFN-8L(8x8)
  • Continuous Drain Current
    • 3.6A
    • 4.8A
    • 6.5A
    • 7A
    • 7.9A
    • 8A
    • 10A
    • 12A
    • 13A
    • 15A
    • 16A
    • 17A
    • 20A
    • 21A
    • 22A
    • 25A
    • 30A
    • 34A
    • 35A
    • 36A
  • Drain - Source Breakdown Voltage
    • 600V
    • 650V
    • 900V
    • 1200V
  • Gate - Source Threshold Voltage
    • 1.6V
    • 1.7V
    • 1.9V
    • 2.1V
    • 2.2V
    • 2.5V
    • 4V
  • Input Capacitance
    • 34pF
    • 46pF
    • 73pF
    • 83pF
    • 125pF
    • 239pF
    • 243pF
    • 598pF
    • 760pF
  • Operating Temperature
    • -50℃~+150℃
    • -55℃~+150℃
    • -55℃~+175℃
  • Output Capacitance
    • 27pF
  • Power Dissipation
    • 13.2W
    • 21W
    • 25W
    • 32W
    • 38W
    • 39W
    • 52W
    • 55.5W
    • 75W
    • 78W
    • 83W
    • 96W
    • 113W
    • 119W
    • 125W
    • 150W
    • 156W
    • 178W
    • 187W
    • 266W
  • RDS(on)
    • 18mΩ@10V
    • 41mΩ@10V
    • 41mΩ@8V
    • 60mΩ@10V
    • 62mΩ@8V
    • 63mΩ@10V
    • 85mΩ@10V
    • 100mΩ@10V
    • 110mΩ@10V
    • 150mΩ@10V
    • 150mΩ@8V
    • 160mΩ@10V
    • 160mΩ@6V
    • 165mΩ@10V
    • 165mΩ@6V
    • 180mΩ@8V
    • 240mΩ@10V
    • 240mΩ@8V
    • 270mΩ@10V
    • 300mΩ@6V
  • Reverse Transfer Capacitance
    • 0.2pF
    • 0.4pF
    • 0.5pF
    • 0.7pF
    • 0.8pF
    • 1pF
    • 1.4pF
    • 1.5pF
    • 2pF
  • Total Gate Charge
    • 0.9nC
    • 1.35nC
    • 10nC
    • 2.3nC
    • 2nC
    • 3.3nC
    • 7.2nC
    • 7nC
    • 8nC
    • 9.6nC
    • 9nC
  • Transistor Polarity
    • 1 N-channel
Results remaining: 175
Quantity
-
New look survey
175 items in total
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5
  • 6
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