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Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
(6)

Manufacturer
- HXY MOSFET
PackageType
- TO-247
- TO-247-4L
- TO-263-7L
Channel Type
- 1PCSNChannel
Continuous Drain Current
- 6.7A
- 17A
- 49A
- 97A
- 117A
Drain Source Threshold Voltage
- 1.8V
- 2V
Drain Source Voltage
- 650V
- 1200V
- 1700V
Drain-Source On-State Resistance(20V)
- 25mΩ
- 33mΩ
- 160mΩ
- 700mΩ
Operating Temperature
- -55℃~+175℃

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